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結果詳細

2022年度  事業:研究公募  種別:-
募集機関 ローム株式会社
課題詳細 以下の研究に対して助成する。
【対象分野】
1)新領域分野
I.AIや統計的手法などデータサイエンス応用による各種課題解決技術
II.テラヘルツ波などの電磁波を利用した各種アプリケーション技術、計測技術
III.2次元材料応用技術
・SiC上に2層グラフェンを欠陥なくウェハスケールで形成する技術
・2次元材料をウェハスケールで剥離、トランスファする技術
IV.新規ロボット制御技術
・構造、行動、神経系を主とした生物模倣技術
V.上記には含まれない、研究機関独自の研究テーマからの新規提案
2)実装研究分野
I.異種材料接合の信頼性技術の探求
・半導体パッケージにおける強度信頼性評価技術の研究
・樹脂と金属間の接合メカニズムの研究
II.半導体パッケージにおける計算技術の開発
・第一原理計算・分子動力学法を活用した接合原理の研究
・接合部の信頼性・劣化試験の機械学習を含む新規解析による短時間化の研究
・ワイヤボンディング・ダイボンディング材の寿命予測
III.新規接合技術の開発
・自己修復材料の研究開発
・各種界面へのナノインターロッキング技術の研究
3)MEMS研究分野
I.圧電・MEMS技術の応用デバイス開発
・超音波デバイス
・弾性波デバイス、高周波振動子、高周波フィルタデバイス
・各種アクチュエータ、センサデバイスなど
II.圧電体シミュレーション技術
・応力・流体・故障解析 シミュレーション技術
・弾性波デバイスのシミュレーション技術
III.圧電・MEMS信頼性技術の探求
・圧電材料の高品質化
・故障解析技術
・検証・評価手法に関する技術
4)パワーエレクトロニクス研究分野
I.パワーエレクトロニクス、スイッチング電源回路に有用な受動素子(コンデンサ、インダクタ)
II.受動素子を活用した新規回路トポロジー
III.パワーエレクトロニクス素子、回路動作に関するシミュレーション技術
IV.パワーエレクトロニクスにおけるノイズ抑制技術
V.基板上に高純度SiC厚膜を応力フリーで形成する技術
5)LSI研究分野
I.電源技術
・エナジーハーベスト関連電源技術、CPU向け超高周波で超小型電源技術
II.T-CADデバイス設計
・高耐圧DMOSデバイス設計技術、高信頼性DMOSデバイス設計技術
III.デバイス保護技術
・ESD(Electrostatic Discharge)/EOS(Electrical Over Stress)保護技術および高効率ESD保護デバイス開発
IV.モータ制御技術
・小規模ハードウェアで実現する、AIを用いたモータ制御アルゴリズムに関する技術(非線形補償/周期外乱制御/故障診断)
・停止及び低速領域でのセンサレスモータ制御(信号重畳/始動時間/磁気飽和/トルク脈動/低騒音)
V.新しいアーキテクチャのADコンバータ回路の研究
・Synthesizable ADC(合成可能なADコンバータ回路の研究)
VI.画像圧縮技術
・LSIに内蔵するに最適な回路規模、レイテンシーを有する画像圧縮技術
VII.LSIテスト・評価
・高電圧試験に使う測定設備のソケット、PCBに関する技術
・AIを活用したテスト(アダプティブテスト手法/KGD分類手法)
6)生産技術研究分野
I.半導体を含む電子部品に関連する組立技術
II.半導体を含む電子部品生産工場の生産技術
技術分野 その他
応募者詳細 大学・高等専門学校および公的研究機関に所属する個人の若手研究者もしくはグループ
募集地域 全国
助成期間 最大3年
助成率
限度額 最大250万円/件・年
採択予定数 5件程度
申請期限 2月22日
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全体 採択数 0 名 
平均採択額 ¥ 0 
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機関:ローム株式会社  事業:研究公募  種別:-

・申請期限:2016 年 02 月 29 日詳細

・申請期限:2017 年 02 月 20 日詳細

・申請期限:2018 年 02 月 20 日詳細

・申請期限:2019 年 02 月 20 日詳細

・申請期限:2020 年 02 月 20 日詳細

・申請期限:2021 年 02 月 22 日詳細

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